На юге стали на шаг ближе к открытию новых устройств микроэлектроники

Опубликованы новые результаты исследований в области материаловедения.

Ученые Южного научного центра РАН представили новые результаты исследований в области материаловедения. В 2025 году они получили тонкие пленки ниобата бария-стронция на подложке оксида магния и изучили их электрофизические свойства. Работа открывает перспективы для создания новых устройств микроэлектроники. Об этом сообщила пресс-служба центра.

– В 2025 году ими [учеными] были получены тонкие пленки ниобата бария-стронция на подложке оксида магния и исследованы их электрофизические свойства. В дальнейшем это может быть использовано для создания новых устройств микроэлектроники, – говорится в сообщении.

По словам старшего научного сотрудника ЮНЦ РАН Даниила Стрюкова, особый интерес вызвало нанесение дополнительного слоя мультиферроика – феррита висмута – поверх тонкой пленки ниобата бария-стронция. Ранее считалось, что напыление второго слоя не влияет на свойства нижнего. Однако ученые показали обратное: второй слой существенно изменил электрофизические характеристики.

Одним из главных результатов стало значительное снижение тока утечки, который обычно ограничивает применение тонких пленок в микроэлектронике. Этот опыт может быть успешно применен и к другим материалам.