Новые подходы к накоплению информации разработают в Академгородке

Сотрудники Института физики полупроводников СО РАН моделируют электронную, атомную структуру и дефекты в диэлектриках, используемых в работе приборов памяти. Это позволит сохранять информацию на вычислительном устройстве длительное время при его отключении от питания, что делает память энергонезависимой.

Читать на Академ.Инфо