Samsung завершила разработку 2-нм техпроцесса GAA второго поколения

Samsung официально завершила базовую фазу проектирования своего второго поколения 2 нм техпроцесса Gate-All-Around (GAA), что является важной вехой для компании и полупроводниковой промышленности. Первые финальные чипы будут изготовлены в конце этого года.

Технология Gate-All-Around подразумевает окружение канала транзистора затвором со всех сторон, что обеспечивает лучший контроль над током и снижает потери энергии. Samsung первой реализовала GAA в производстве 3 нм, а теперь развивает эту концепцию до еще меньших размеров – 2 нм.

Новый техпроцесс SF2 обеспечивает повышение эффективности транзисторов N-типа на 29% и P-типа на 46% в узких структурах, снижение глобальных отклонений параметров транзисторов на 26% по сравнению с классическими FinFET и примерно на 50% меньшую утечку тока, что приводит к снижению энергопотребления и повышению эффективности.

Первые 2-нм чипы Samsung выйдут в этом году

Samsung планирует начать массовое производство 2-нм чипов уже в 2025 году, изначально для мобильного сегмента (вероятно, Exynos 2600), с ИИ и HPC, а так же на более поздних стадиях для автомобильной промышленности. Компания уже работает с такими партнерами, как Arm, над оптимизацией новых процессорных ядер для SF2.

Специализированные версии процесса (например, SF2P, SF2X, SF2Z) будут постепенно внедряться до 2027 года, предлагая, среди прочего, технологию обратной подачи энергии, что еще больше повысит энергоэффективность.

Хотя Samsung добился значительного прогресса, достижение высокой эффективности выхода продукции остается проблемой. В настоящее время тестовое производство достигло 30% годных чипов, а это намного ниже ожиданий рынка (около 70%).

Если северокорейская компания сможет повысить показатели выхода годной продукции, она сможет вернуть доверие крупных клиентов и эффективно конкурировать с TSMC, которая уже готовится к массовому производству собственных 2-нм чипов.