Компания
Agilent Technologies Inc. намерена открыть новую линию по производству 6-дюймовых GaAs-полупроводников на своем заводе в
Форт-Коллинсе в штате
Колорадо, сообщает
Electronic News.
Новая линия будет использовать технологию E-pHEMT (enhancement-mode pseudomorphic high-
electron-mobility transistor). E-pHEMT имеет значительные преимущества по сравнению с обычными GaAs-технологиями. Для изделий с E-pHEMT достаточно для питания только положительного напряжения, в то время как
GaAs-полупроводникам необходимо положительное напряжение для работы и отрицательное для включения устройства, что, естественно, требует дополнительных элементов и места в конструкции. Изделия, полученные по технологии E-pHEMT, будут использованы в
мобильной связи стандарта
CDMA,
GSM. Использование новых продуктов в усилителях мощности для мобильных CDMA-телефонов позволит увеличить на 15% время работы
аккумуляторов или же сократить их размеры, тем самым могут быть уменьшены и общие размеры мобильных телефонов.